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元件参数资料
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参数目录41835
> IRFH5025TR2PBF MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
型号:
IRFH5025TR2PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFH5025TR2PBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet PQFN
标准包装
400
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫欧 @ 5.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
56nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2150pF @ 50V
功率 - 最大
3.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-VQFN
供应商设备封装
8-QFN
包装
带卷 (TR)
其它名称
IRFH5025TR2PBFTR
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